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                英飞凌与汇川技术全面拓展合作,推动中国制造转型升级

                英飞凌科技今日与深圳市汇川技术签署战略合作协☆议,在智能制造及新能源汽车领域全▼面拓展合作范围,助力“中国制造”到“中国智造”的转型升级。


                智能制造及新能源汽ㄨ车在《中国制造2025》中具有十分重要的战略意义。作为全球半导体领♂域内的领先企业,英飞凌一直致力于推动中国制造的转型升级。过去十五年来,英飞凌的MCU、功率器件、驱动、通信及电源芯片等广泛的产品组合为汇川技ぷ术的各类车用驱动及电源、工业变频器、电】梯驱动器、伺服驱∩动器和过程控制设备等产品提供了高效、可靠的完整解决方案。


                此次双方签订全新◤协议,全面拓展合作范围,将英飞凌在半导■体领域的领先优势与汇川技术在智能制造及新能源汽车领域的本地经验结合在一起,实现强强联合。根据协议,英飞凌将与汇川︻技术在新应用研发与产品规划等方面展开早期合作,不断优化产品,降□ 低生产成本、缩短交付△与上市周期,从而提升整个产业链的成本效益。


                这是英飞凌与汇川技术长达十五年的合作历史中又一新的里程碑,也是英飞凌践行“与中国共▲赢(Win with China)”战略、促ξ进本土化合作发展的最新一步。


                汇川技术董事长朱兴明表示:“英飞凌与汇川的理念、使命高度契合,特别是英飞凌近年来从产品导向转向客户导向的经营理念,与汇川长期以来践行的“成就客户”价值观不谋而合,这将促使双方实现更深层次的面向未来的≡前瞻性合作。尤其是在新能源汽车领域,相信两家公司能够携手克服诸多㊣挑战,实现中国新能源汽车的直道追赶》。”


                英飞凌科技大中华区总裁苏华博士表示:“英飞凌一直致力于将产品规划与本地企业当前和未来的创新应用◢需求紧密结合,助力提升中国企业的全球竞争力。我们很高兴能够成为汇川技术在应用设计和制造方面的ζ全球战略合作伙伴,与其一同探索创新应用并开拓垂直市场,并为中国制造2025的实♂现做出贡献。”


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                原厂料号品牌规格描述

                BTS244ZE3062AATMA2

                Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5

                IPB080N06N-G

                Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

                SPB42N03S2L-13

                Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK

                IPB530N15N3-G

                Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3

                IPW90R1K2C3

                Infineon Technologies MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247
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